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          英特爾俄亥俄州晶圓廠建設再延期,投產計劃推至2030年后

             發布時間:2025-03-03 07:54 作者:顧雨柔

          英特爾已對其位于美國俄亥俄州紐阿爾賓尼的晶圓廠建設項目作出重大調整,將原本雄心勃勃的建設時間表大幅推遲。據最新消息,這座備受矚目的工廠預計要到下一個十年才能正式投入運營。

          該晶圓廠的建設始于2022年,原計劃分為兩個階段進行。第一階段,即模塊1,原本預計在2025年竣工,但隨后被推遲至2027年至2028年。然而,最新的消息顯示,這一階段的完工時間將進一步延后至2030年,投產則安排在2030年至2031年之間。至于第二階段,即模塊2,預計將在2031年完成建設,并于2032年開始投產。

          此次推遲的主要原因在于項目的巨大規模和市場需求的不確定性。據悉,這座晶圓廠的總投資額高達約1000億美元,初期投資就需約280億美元。面對未來五年市場前景的不明朗,英特爾決定采取謹慎策略,放緩建設節奏。

          英特爾當前的經營狀況也面臨挑戰,延緩新工廠的建設進度成為其優化財務表現的一種手段。不過,英特爾方面強調,如果未來市場需求發生變化或有其他需要,他們將隨時調整計劃,加快項目建設速度。

          這座占地約4平方公里的晶圓廠,最終將包含多達8座晶圓廠。截至目前,地基工程已完成,累計投入超過640萬個工時。在建設過程中,澆筑了超過15萬立方米的混凝土,使用鋼筋總量達到2.45萬噸,同時鋪設了近15萬米的地下線路和近3萬米的地下管道。這些數字無不彰顯出該項目的龐大規模和復雜性。

          原本,這座晶圓廠計劃用于開發和生產14A工藝節點之后的先進制程技術,該技術預計將在2026年至2027年間開始量產。然而,隨著建設時間的推遲,這一計劃也面臨調整。14A及后續工藝將依賴于造價高昂的ASML EXE:5200型或更先進的High-NA EUV光刻機,每臺設備的造價預計將超過3.5億美元。

           
           
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