據(jù)韓媒ZDNET Korea報道，三星電子在三季度已做出重大決策，對其平澤P4制造綜合體一期進行產(chǎn)能調(diào)整。這一變動意味著，該生產(chǎn)線將從原先專注的NAND閃存生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向同時支持NAND與DRAM的混合生產(chǎn)模式。
▲ 三星平澤園區(qū)
此次調(diào)整在生產(chǎn)線的命名上也有所體現(xiàn)。原名為P4F的生產(chǎn)線，其中的"F"代表Flash閃存，而如今更名為P4H，其中的"H"則是Hybrid的簡稱，標(biāo)志著該生產(chǎn)線將支持更多種類的半導(dǎo)體工藝。
目前，平澤P4一期已有部分NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備進駐，并計劃在今年底前將NAND的生產(chǎn)能力提升至每月1萬片晶圓。然而，由于市場環(huán)境的不確定性，針對如V9 QLC NAND等先進產(chǎn)品的進一步投資，可能會推遲至明年中期。
在DRAM生產(chǎn)方面，該生產(chǎn)線未來有望達到每月3至4萬片晶圓的產(chǎn)能。同時，為應(yīng)對競爭對手的擴張并保證自身供應(yīng)充足，三星計劃在該生產(chǎn)線上引入其最先進的1a、1b nm工藝，即相當(dāng)于14nm和12nm級別。
值得注意的是，三星電子的平澤P4制造綜合體共規(guī)劃有四期生產(chǎn)線。其中，三期將專注于DRAM生產(chǎn)，并已計劃開工建設(shè)。而原本計劃的二期Foundry代工生產(chǎn)線，則暫時擱置。
