近日，意法半導體與英諾賽科宣布了一項重要合作，雙方已于3月31日正式簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。此次攜手旨在通過整合各自優(yōu)勢，增強氮化鎵功率解決方案的市場競爭力，并提升供應(yīng)鏈的靈活性和韌性。
根據(jù)協(xié)議條款，雙方將共同推進氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合研發(fā)項目，預期在未來幾年內(nèi)，推動該技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車工業(yè)及工業(yè)電源系統(tǒng)等多個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，展現(xiàn)出廣闊的市場前景。
合作還涉及產(chǎn)能互補。英諾賽科將能夠利用意法半導體在海外的前端制造能力生產(chǎn)氮化鎵晶圓，而意法半導體也將借助英諾賽科在中國的制造基地，擴大其氮化鎵晶圓的產(chǎn)能。這種靈活的供應(yīng)鏈布局，有助于雙方拓展氮化鎵產(chǎn)品組合，提高市場供應(yīng)能力。
雙方共同的目標是通過這一合作，提升供應(yīng)鏈的韌性，以更好地滿足不同應(yīng)用場景下的客戶需求。意法半導體APMS總裁Marco Cassis表示，作為IDM（垂直整合器件制造商），此次合作將充分發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢，為全球客戶創(chuàng)造更多價值。
Cassis進一步指出，意法半導體將加速氮化鎵功率技術(shù)的部署，進一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合，并通過靈活的制造模式，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。同時，英諾賽科董事長兼創(chuàng)始人駱薇薇也表示，氮化鎵技術(shù)在實現(xiàn)小型化、高效率、低功耗、低成本及低碳排放的電子系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
駱薇薇強調(diào)，英諾賽科在8英寸（200mm）硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)方面處于領(lǐng)先地位，已累計出貨超過10億顆氮化鎵器件，覆蓋多個市場領(lǐng)域。她對與意法半導體的戰(zhàn)略合作表示高度振奮，認為這將進一步擴大氮化鎵技術(shù)的普及范圍，并加速下一代氮化鎵技術(shù)的開發(fā)。
