近期，美光科技的高管在出席一次行業(yè)分析會議時透露了公司的最新動態(tài)。執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官M(fèi)ark Murphy在會上宣布，美光的12層堆疊HBM內(nèi)存產(chǎn)品（型號為12Hi HBM3E）即將進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。
據(jù)美光方面介紹，這款12Hi HBM3E產(chǎn)品在性能上具備顯著優(yōu)勢。與市場上的競品相比，其容量高出50%，同時功耗降低了20%。這一突破性的進(jìn)展無疑將增強(qiáng)美光在高端內(nèi)存市場的競爭力。
Mark Murphy進(jìn)一步表示，美光在HBM領(lǐng)域的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)與整體DRAM市場相當(dāng)?shù)氖袌稣加新剩催_(dá)到20%。即便當(dāng)前三星電子在HBM業(yè)務(wù)上遇到了一些挑戰(zhàn)，美光依然堅定這一目標(biāo)。隨著HBM產(chǎn)能的提升，美光的整體財務(wù)數(shù)據(jù)也有望得到顯著改善。
在NAND閃存方面，Mark Murphy透露了公司的不同策略。他指出，當(dāng)前NAND閃存行業(yè)的整體狀況依然疲軟。因此，美光決定放緩制程遷移的步伐，如推遲升級至最新的G9 278層節(jié)點(diǎn)，以降低供應(yīng)能力，從而加速庫存消耗。盡管面臨挑戰(zhàn)，但美光對2025年的市場前景持樂觀態(tài)度，預(yù)計整體情況將逐步好轉(zhuǎn)。
在財務(wù)數(shù)據(jù)方面，Mark Murphy預(yù)計美光在2024財年第三財季（截至2025年3月末）的毛利率將有所下降。這主要是由于客戶端出貨規(guī)模的提升伴隨著產(chǎn)品價格的降低，以及NAND閃存市場的整體行情不佳所致。盡管面臨這些挑戰(zhàn)，但美光依然致力于通過技術(shù)創(chuàng)新和市場策略調(diào)整，保持其在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位。
