美光科技近日宣布了一項重大突破，它已成為全球首個且唯一同時推出HBM3E及SOCAMM產(chǎn)品的存儲供應商。這一成就標志著美光在高性能存儲解決方案領域邁出了重要一步。
據(jù)詳細披露，美光為英偉達GB300 Grace Blackwell Ultra超級芯片定制的SOCAMM內(nèi)存，以及專為HGX B300和HGX B200平臺設計的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品，已開始大規(guī)模量產(chǎn)并發(fā)貨。這些產(chǎn)品包括HBM3E 12H 36GB（針對HGX B300）和HBM3E 8H 24GB（針對HGX B200）。
美光強調(diào)，SOCAMM是與英偉達聯(lián)合研發(fā)的模塊化LPDDR5X內(nèi)存方案，它刷新了速度、體積、功耗和容量的多項紀錄。在相同容量下，SOCAMM提供的帶寬是RDIMM的2.5倍，能夠顯著提升數(shù)據(jù)存取速度，尤其適用于處理大規(guī)模訓練數(shù)據(jù)和復雜模型，同時增強推理工作負載的數(shù)據(jù)傳輸效率。
在體積方面，SOCAMM的尺寸僅為14x90毫米，相當于行業(yè)標準RDIMM尺寸的三分之一，這為構建更緊湊、高效的服務器設計提供了可能。SOCAMM的功耗僅為標準DDR5 RDIMM的三分之一，極大地優(yōu)化了AI架構中的能效表現(xiàn)。
SOCAMM的容量表現(xiàn)同樣出色，它采用四組16層堆疊LPDDR5X內(nèi)存，實現(xiàn)了128GB的高容量內(nèi)存模組，成為業(yè)界最高容量的LPDDR5X內(nèi)存解決方案。同時，美光的SOCAMM還具備出色的擴展能力和維修性，其模塊化設計和創(chuàng)新堆疊技術不僅支持ECC糾錯功能，還提高了維修的便捷性，并有助于液冷服務器的設計。
在HBM3E產(chǎn)品線上，美光的HBM3E 12H 36GB在同規(guī)格下提供了比HBM3E 8H 24GB高出50%的容量。與競爭對手的HBM3E 8H 24GB產(chǎn)品相比，美光的HBM3E 12H 36GB不僅功耗降低了20%，存儲容量也提升了50%，展現(xiàn)了美光在高性能存儲技術上的領先地位。
