近期，SK 海力士在臺(tái)積電舉辦的2025年北美技術(shù)論壇上大放異彩，展示了多款創(chuàng)新的DRAM內(nèi)存產(chǎn)品，吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。這些新品不僅涵蓋了前沿的HBM內(nèi)存，還包括了標(biāo)準(zhǔn)的DIMM模組，展示了SK 海力士在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的深厚底蘊(yùn)。
在HBM內(nèi)存方面，SK 海力士作為HBM領(lǐng)域的領(lǐng)航者，首次實(shí)現(xiàn)了16層鍵合技術(shù)。此次論壇上，他們推出了采用Advanced MR-MUF鍵合技術(shù)的16Hi HBM內(nèi)存模型，這一技術(shù)突破進(jìn)一步鞏固了SK 海力士在HBM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
具體產(chǎn)品層面，SK 海力士展示了HBM3E和HBM4兩款實(shí)物產(chǎn)品。其中，HBM4內(nèi)存采用了16Hi堆疊技術(shù)，單堆棧容量高達(dá)48GB，I/O速度達(dá)到了8.0Gbps，整體帶寬更是驚人地達(dá)到了2.0TB/s。HBM4的邏輯裸片部分采用了臺(tái)積電先進(jìn)的制程工藝，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。
在常規(guī)的DIMM模組方面，SK 海力士同樣帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品組合。對(duì)于一般RDIMM，此次展出的產(chǎn)品速率均達(dá)到了8000MT/s，涵蓋了多款不同制程和容量的型號(hào)。其中，基于先進(jìn)1c nm制程的RDIMM最高容量可達(dá)64GB；采用3DS鍵合堆疊技術(shù)的RDIMM容量更是達(dá)到了256GB；而采用較舊制程的RDIMM則提供了96GB的容量選擇。
針對(duì)先進(jìn)服務(wù)器市場(chǎng)，SK 海力士還推出了三款速度可達(dá)12800MT/s的MRDIMM產(chǎn)品。這些產(chǎn)品包括標(biāo)準(zhǔn)板型、基于1c nm DRAM的64GB容量款式；同樣采用傳統(tǒng)板型但基于更舊制程的96GB容量型號(hào)；以及采用更高板型、容量可拓展至256GB的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品不僅滿足了不同服務(wù)器場(chǎng)景的需求，還進(jìn)一步提升了服務(wù)器的性能和穩(wěn)定性。
