據(jù)韓媒ZDNET Korea近日?qǐng)?bào)道，三星電子的HBM3E產(chǎn)品面臨供貨延遲問題，主要原因在于其基礎(chǔ)的14nm級(jí)DRAM技術(shù)存在瓶頸。該內(nèi)存產(chǎn)品的認(rèn)證及供貨進(jìn)程受到英偉達(dá)等主要需求方的密切關(guān)注。
報(bào)道指出，三星的36GB容量HBM3E 12H內(nèi)存預(yù)計(jì)要到2025年的第二至第三季度才能開始供應(yīng)市場(chǎng)。
相較于SK海力士與美光，這兩家公司的HBM內(nèi)存產(chǎn)品基于1b DRAM技術(shù)，而三星的HBM3E則依賴于14nm級(jí)（即1a nm）DRAM，這在工藝上構(gòu)成了一定的劣勢(shì)。
三星在其12nm級(jí)（1b nm）DRAM的初步設(shè)計(jì)中并未考慮HBM的應(yīng)用，這限制了三星迅速調(diào)整HBM3E內(nèi)存DRAM Die的能力。
三星1a DRAM技術(shù)不僅面臨設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)，還遭遇了工藝問題。三星在內(nèi)存生產(chǎn)中積極引入EUV技術(shù)，以期提高競(jìng)爭(zhēng)力并降低成本。然而，1a DRAM的EUV層數(shù)多達(dá)5層，超過SK海力士的同期產(chǎn)品，但工藝穩(wěn)定性不足，未能實(shí)現(xiàn)預(yù)期的成本降低。
同時(shí)，三星1a DRAM的設(shè)計(jì)缺陷也導(dǎo)致其在DDR5服務(wù)器內(nèi)存條的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中落后于SK海力士，后者更早獲得了英特爾的產(chǎn)品認(rèn)證。
有消息透露，三星電子內(nèi)部正在考慮對(duì)其1a DRAM的部分電路進(jìn)行重新設(shè)計(jì)，但這一決策面臨諸多風(fēng)險(xiǎn)。新設(shè)計(jì)至少需要6個(gè)月才能完成，并需等到明年第二季度才能進(jìn)行批量生產(chǎn)，這使得及時(shí)向下游廠商交付產(chǎn)品變得困難。
