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          三星研制成功1c nm良品晶粒,HBM4內存迎新突破!

             發布時間:2024-10-22 16:35 作者:柳晴雪

          三星電子在內存技術領域取得了新的突破。據韓媒ZDNET Korea報道,該公司已成功研發出1c nm(第六代10nm級)DRAM內存的良品晶粒,這一成果在公司內部獲得了高度評價。

          然而,1c nm DRAM的量產仍面臨挑戰,首批產品的良率尚不足一成。為推進量產進程,三星電子計劃在今年底前完成首條1c nm DRAM內存量產線的建設。

          ▲ 三星電子HBM內存示意圖

          據悉,三星下一代HBM內存HBM4預計將基于1c nm DRAM制程,以期在市場競爭中追趕并超越SK海力士與美光。

          按照行業慣例,新DRAM制程通常先應用于DDR內存,再逐步擴展至LPDDR,最后在HBM上應用。但考慮到1c nm DRAM的量產時間和HBM4的預計量產時間,三星可能會打破這一常規順序。

          ▲ 生產線示意圖

          ▲ DRAM內存芯片

          ▲ HBM內存模塊

           
           
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